«Работать добросовестно — значит: работать, повышая свою квалификацию, проявляя инициативу в совершенствовании продукции, технологий, организации работ, оказывая не предусмотренную должностными инструкциями помощь другим сотрудникам (включая и руководителей) в общей им всем работе.

Спец курс(Системы ведения проекта)/Лабораторные задания/mediawiki/exmpl — различия между версиями

Материал из Wiki
Перейти к: навигация, поиск
(Новая страница: «== links == http://forums.opensuse.org/english/get-technical-help-here/hardware/395149-ftdi-usb-serial-adapter-unknown-vendor-device-id.html == Formule == <m>a+b-…»)
 
(→‎Граф)
Строка 32: Строка 32:
 
}
 
}
 
</graph>
 
</graph>
 +
Перечень элементной базы, предельно-допустимые режимы работы
 +
{| cellspacing="0" cellpadding="0" border="1" class=standard
 +
! Элемент
 +
! Имя модели
 +
! Имя электрического символа из BMS_LIB
 +
! Рабочий режим
 +
|-
 +
| 3.3В LV NМОП низковольтный транзистор
 +
| mn
 +
| nmos
 +
| (VGS, VDS, VGD) <3.6B
 +
|-
 +
| 3.3В LV PМОП низковольтный транзистор
 +
| mp
 +
| pmos
 +
| (VGS, VDS, VGD) <3.6B
 +
|-
 +
| 15,5В HV NМОП высоковольтный транзистор
 +
| mnh
 +
| nmos
 +
| (VGS, VDS, VGD) <15B
 +
|-
 +
| 15,5В HV ZМОП высоковольтный транзистор
 +
| mnz
 +
| nmos
 +
| (VGS, VDS, VGD) <6B
 +
|-
 +
| 16В REAL HV PМОП высоковольтный транзистор
 +
| mpr
 +
| pmos
 +
| (VGS, VDS, VGD) <15B
 +
|-
 +
| 5В QUASI HV PМОП транзистор
 +
| mpq
 +
| pmos
 +
| (VGS, VDS, VGD) <9B
 +
|-
 +
| Диод P+N-карман
 +
| dp
 +
| dp
 +
| Uпроб≥7
 +
|-
 +
| Диод N+P-карман
 +
| dn
 +
| dn
 +
| Uпроб≥7
 +
|-
 +
| Диод N+P-подложка
 +
| dnh
 +
| dn
 +
| Uпроб≥16
 +
|-
 +
| Диод P+N-карман высоковольтный
 +
| dph
 +
| dp
 +
| Uпроб≥16
 +
|-
 +
| Резистор N-карман
 +
| rnw
 +
| rn
 +
| max. V=16B
 +
|-
 +
| Резистор N+ диффузионный без силицида
 +
| rna
 +
| rn
 +
| max. V=6B
 +
|-
 +
| Резистор N+ диффузионный с силицидом
 +
| rnas
 +
| rn
 +
| max. V=6B
 +
|-
 +
| Резистор P+ диффузионный без силицида
 +
| rpa
 +
| rp
 +
| max. V=6B
 +
|-
 +
| Резистор P+ диффузионный с силицидом
 +
| rpas
 +
| rp
 +
| max. V=6B
 +
|-
 +
| Резистор ПКК1, легированный N+стоками без силицида
 +
| rnp
 +
| r
 +
| max. V=16B
 +
|-
 +
| Резистор ПКК1, легированный N+стоками с силицидом
 +
| rnps
 +
| r
 +
| max. V=16B
 +
|-
 +
| Резистор ПКК2 n-типа без силицида
 +
| rp2
 +
| r
 +
| max. V=16B
 +
|-
 +
| Резистор ПКК2 n-типа с силицидом
 +
| rp2s
 +
| r
 +
| max. V=16B
 +
|-
 +
| Конденсатор ПКК1-ПКК2
 +
| cpoly
 +
| c
 +
| max. V=16B
 +
|-
 +
| Конденсатор ПКК1-N+сток первый
 +
| cn1
 +
| cn
 +
| max. V=16B
 +
|-
 +
| Конденсатор ПКК1 на Р- подложке ( ПЗО 25 нм)
 +
| cph
 +
| cp
 +
| max. V=16B
 +
|-
 +
| Конденсатор ПКК1 на Р- подложке ( ПЗО 25 нм) на инверсии
 +
| cphi
 +
| cp
 +
| max. V=16B
 +
|-
 +
| Конденсатор ПКК1 на N- кармане ( ПЗО 25 нм)
 +
| cnh
 +
| cn
 +
| max. V=16B
 +
|-
 +
| Конденсатор ПКК1 на N- кармане ( ПЗО 25 нм) на инверсии
 +
| cnhi
 +
| cn
 +
| max. V=16B
 +
|-
 +
| Конденсатор ПКК2 на Р- кармане ( ПЗО 7 нм)
 +
| cp
 +
| cp
 +
| max. V=3.6B
 +
|-
 +
| Конденсатор ПКК2 на Р- кармане ( ПЗО 7 нм) на инверсии
 +
| cpi
 +
| cp
 +
| max. V=3.6B
 +
|-
 +
| Конденсатор ПКК2 на N- кармане ( ПЗО 7 нм)
 +
| cn
 +
| cn
 +
| max. V=3.6B
 +
|-
 +
| Конденсатор ПКК2 на N- кармане ( ПЗО 7 нм) на инверсии
 +
| cni
 +
| cn
 +
| max. V=3.6B
 +
|}

Версия 15:21, 18 ноября 2013

Содержание

links

http://forums.opensuse.org/english/get-technical-help-here/hardware/395149-ftdi-usb-serial-adapter-unknown-vendor-device-id.html

Formule


код

#include "iostream.h"
module scoreboard(input bit Y, A, B);
reg Y_sb, truth_table[2][2];
initial begin
truth_table[0][0] = 0;
truth_table[0][1] = 0;
truth_table[1][0] = 0;
truth_table[1][1] = 1;
end
always @(A or B) begin
Y_sb = truth_table[A][B];
#2 $display(“@%4t - %b%b : Y_sb=%b, Y=%b (%0s)”,
$time, A, B, Y_sb, Y,
((Y_sb == Y) ? “Match” : “Mis-match”));
end
endmodule

Граф

sh: dot: not found

Перечень элементной базы, предельно-допустимые режимы работы

Элемент Имя модели Имя электрического символа из BMS_LIB Рабочий режим
3.3В LV NМОП низковольтный транзистор mn nmos (VGS, VDS, VGD) <3.6B
3.3В LV PМОП низковольтный транзистор mp pmos (VGS, VDS, VGD) <3.6B
15,5В HV NМОП высоковольтный транзистор mnh nmos (VGS, VDS, VGD) <15B
15,5В HV ZМОП высоковольтный транзистор mnz nmos (VGS, VDS, VGD) <6B
16В REAL HV PМОП высоковольтный транзистор mpr pmos (VGS, VDS, VGD) <15B
5В QUASI HV PМОП транзистор mpq pmos (VGS, VDS, VGD) <9B
Диод P+N-карман dp dp Uпроб≥7
Диод N+P-карман dn dn Uпроб≥7
Диод N+P-подложка dnh dn Uпроб≥16
Диод P+N-карман высоковольтный dph dp Uпроб≥16
Резистор N-карман rnw rn max. V=16B
Резистор N+ диффузионный без силицида rna rn max. V=6B
Резистор N+ диффузионный с силицидом rnas rn max. V=6B
Резистор P+ диффузионный без силицида rpa rp max. V=6B
Резистор P+ диффузионный с силицидом rpas rp max. V=6B
Резистор ПКК1, легированный N+стоками без силицида rnp r max. V=16B
Резистор ПКК1, легированный N+стоками с силицидом rnps r max. V=16B
Резистор ПКК2 n-типа без силицида rp2 r max. V=16B
Резистор ПКК2 n-типа с силицидом rp2s r max. V=16B
Конденсатор ПКК1-ПКК2 cpoly c max. V=16B
Конденсатор ПКК1-N+сток первый cn1 cn max. V=16B
Конденсатор ПКК1 на Р- подложке ( ПЗО 25 нм) cph cp max. V=16B
Конденсатор ПКК1 на Р- подложке ( ПЗО 25 нм) на инверсии cphi cp max. V=16B
Конденсатор ПКК1 на N- кармане ( ПЗО 25 нм) cnh cn max. V=16B
Конденсатор ПКК1 на N- кармане ( ПЗО 25 нм) на инверсии cnhi cn max. V=16B
Конденсатор ПКК2 на Р- кармане ( ПЗО 7 нм) cp cp max. V=3.6B
Конденсатор ПКК2 на Р- кармане ( ПЗО 7 нм) на инверсии cpi cp max. V=3.6B
Конденсатор ПКК2 на N- кармане ( ПЗО 7 нм) cn cn max. V=3.6B
Конденсатор ПКК2 на N- кармане ( ПЗО 7 нм) на инверсии cni cn max. V=3.6B
Источник — «http://simhard.com/wiki/index.php?title=Спец_курс(Системы_ведения_проекта)/Лабораторные_задания/mediawiki/exmpl&oldid=3341»