Спец курс(Системы ведения проекта)/Лабораторные задания/mediawiki/exmpl

Ссылки сюда (1) →

картинка

• Придется запомнить перечень горячих клавиш
• В будущем облегчит жизнь

горячие клавиши

---

Действие	Hot key	Действие	Hot key
command mode	Alt-X	open file	Ctrl-X Ctrl-F
insert file	Ctrl-Xi	save file	Ctrl-X Ctrl-S
save as file	Ctrl-X Ctrl-W name	close file	Ctrl-XK
change buffer	Ctrl-XB	undo	Ctrl-XU, Ctrl-_
redo	Ctrl-^	exit	Ctrl-X Ctrl-C
word left	Alt-B	word right	Alt-F
start of line	Ctrl-A	end of line	Ctrl-E
page up	Alt-V	page down	Ctrl-V
start of buffer	Alt-<	end of buffer	Alt->
line n	Alt-G n.	word left	Alt-DEL
word right	Alt-D	end of line	Ctrl-K
line	Ctrl-A Ctrl-K	search	Ctrl-S text
replace	Alt-%	start selection	Ctrl-SPACE
cut	Ctrl-W	copy	Alt-W
paste	Ctrl-Y	shell	M-x shell

links

http://forums.opensuse.org/english/get-technical-help-here/hardware/395149-ftdi-usb-serial-adapter-unknown-vendor-device-id.html

Formule

код

#include "iostream.h"

module scoreboard(input bit Y, A, B);
reg Y_sb, truth_table[2][2];
initial begin
truth_table[0][0] = 0;
truth_table[0][1] = 0;
truth_table[1][0] = 0;
truth_table[1][1] = 1;
end
always @(A or B) begin
Y_sb = truth_table[A][B];
#2 $display(“@%4t - %b%b : Y_sb=%b, Y=%b (%0s)”,
$time, A, B, Y_sb, Y,
((Y_sb == Y) ? “Match” : “Mis-match”));
end
endmodule

Таблица

Перечень элементной базы, предельно-допустимые режимы работы

Элемент	Имя модели	Имя электрического символа из BMS_LIB	Рабочий режим
3.3В LV NМОП низковольтный транзистор	mn	nmos	(VGS, VDS, VGD) <3.6B
3.3В LV PМОП низковольтный транзистор	mp	pmos	(VGS, VDS, VGD) <3.6B
15,5В HV NМОП высоковольтный транзистор	mnh	nmos	(VGS, VDS, VGD) <15B
15,5В HV ZМОП высоковольтный транзистор	mnz	nmos	(VGS, VDS, VGD) <6B
16В REAL HV PМОП высоковольтный транзистор	mpr	pmos	(VGS, VDS, VGD) <15B
5В QUASI HV PМОП транзистор	mpq	pmos	(VGS, VDS, VGD) <9B
Диод P+N-карман	dp	dp	Uпроб≥7
Диод N+P-карман	dn	dn	Uпроб≥7
Диод N+P-подложка	dnh	dn	Uпроб≥16
Диод P+N-карман высоковольтный	dph	dp	Uпроб≥16
Резистор N-карман	rnw	rn	max. V=16B
Резистор N+ диффузионный без силицида	rna	rn	max. V=6B
Резистор N+ диффузионный с силицидом	rnas	rn	max. V=6B
Резистор P+ диффузионный без силицида	rpa	rp	max. V=6B
Резистор P+ диффузионный с силицидом	rpas	rp	max. V=6B
Резистор ПКК1, легированный N+стоками без силицида	rnp	r	max. V=16B
Резистор ПКК1, легированный N+стоками с силицидом	rnps	r	max. V=16B
Резистор ПКК2 n-типа без силицида	rp2	r	max. V=16B
Резистор ПКК2 n-типа с силицидом	rp2s	r	max. V=16B
Конденсатор ПКК1-ПКК2	cpoly	c	max. V=16B
Конденсатор ПКК1-N+сток первый	cn1	cn	max. V=16B
Конденсатор ПКК1 на Р- подложке ( ПЗО 25 нм)	cph	cp	max. V=16B
Конденсатор ПКК1 на Р- подложке ( ПЗО 25 нм) на инверсии	cphi	cp	max. V=16B
Конденсатор ПКК1 на N- кармане ( ПЗО 25 нм)	cnh	cn	max. V=16B
Конденсатор ПКК1 на N- кармане ( ПЗО 25 нм) на инверсии	cnhi	cn	max. V=16B
Конденсатор ПКК2 на Р- кармане ( ПЗО 7 нм)	cp	cp	max. V=3.6B
Конденсатор ПКК2 на Р- кармане ( ПЗО 7 нм) на инверсии	cpi	cp	max. V=3.6B
Конденсатор ПКК2 на N- кармане ( ПЗО 7 нм)	cn	cn	max. V=3.6B
Конденсатор ПКК2 на N- кармане ( ПЗО 7 нм) на инверсии	cni	cn	max. V=3.6B